RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB против Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Средняя оценка
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
34
Около -42% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.7
8.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.8
5.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
34
24
Скорость чтения, Гб/сек
8.6
15.7
Скорость записи, Гб/сек
5.8
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1682
2865
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link