RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB против Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Средняя оценка
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
34
Около -26% меньшая задержка
Выше скорость чтения
9.7
8.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
6.8
5.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
34
27
Скорость чтения, Гб/сек
8.6
9.7
Скорость записи, Гб/сек
5.8
6.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1682
1767
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB Сравнения RAM
Corsair CM5S16GM4800A40N2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link