RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
83
Около 66% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.6
6.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.8
12.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
83
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
14.8
Скорость записи, Гб/сек
9.6
6.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
1370
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link