RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
32
Около 13% меньшая задержка
Причины выбрать
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.6
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.8
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
32
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
16.6
Скорость записи, Гб/сек
9.6
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
3405
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link