RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
31
Около 10% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.3
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.9
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
31
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
16.3
Скорость записи, Гб/сек
9.6
12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
3120
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link