RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
78
Около 64% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.4
11.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.6
8.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
78
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
11.3
Скорость записи, Гб/сек
9.6
8.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
1816
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link