RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
32
Около 13% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.1
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.1
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
32
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
16.1
Скорость записи, Гб/сек
9.6
12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
2968
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB Сравнения RAM
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link