RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
9.6
7.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
28
Около -22% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.8
12.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
23
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
15.8
Скорость записи, Гб/сек
9.6
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
2527
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link