RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
51
Около 45% меньшая задержка
Причины выбрать
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.4
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.8
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
51
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
16.4
Скорость записи, Гб/сек
9.6
9.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
2336
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link