RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
39
Около 28% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.3
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
39
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
14.0
Скорость записи, Гб/сек
9.6
11.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 14 15
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
2810
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link