RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
20.3
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.3
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
28
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
20.3
Скорость записи, Гб/сек
9.6
17.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
3762
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link