RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
32
Около 13% меньшая задержка
Причины выбрать
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.1
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.6
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
32
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
14.1
Скорость записи, Гб/сек
9.6
10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
2769
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link