RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
28
Около -8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.2
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.4
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
26
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
17.2
Скорость записи, Гб/сек
9.6
15.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
3617
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link