RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
28
Около -27% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.6
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.7
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
22
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
17.6
Скорость записи, Гб/сек
9.6
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
2902
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6D1 4GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link