RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
65
Около 57% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.4
8.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.6
5.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
65
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
8.5
Скорость записи, Гб/сек
9.6
5.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
1981
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link