RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
86
Около 67% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.6
6.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.5
12.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
86
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
13.5
Скорость записи, Гб/сек
9.6
6.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
1469
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link