RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
28
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.2
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
27
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
17.0
Скорость записи, Гб/сек
9.6
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
2379
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link