RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB
SK Hynix HMT41GS6MFR8C-PB 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB против SK Hynix HMT41GS6MFR8C-PB 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB
Средняя оценка
SK Hynix HMT41GS6MFR8C-PB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
43
Около 33% меньшая задержка
Причины выбрать
SK Hynix HMT41GS6MFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.2
12
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.4
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
12800
10600
Около 1.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB
SK Hynix HMT41GS6MFR8C-PB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR3
Задержка в PassMark, нс
29
43
Скорость чтения, Гб/сек
12.0
13.2
Скорость записи, Гб/сек
8.1
8.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
12800
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2171
2185
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
SK Hynix HMT41GS6MFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C
SK Hynix HMT41GS6MFR8C-PB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBZL 4GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link