RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB против G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
29
Около -12% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.9
12.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.5
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
26
Скорость чтения, Гб/сек
12.1
14.9
Скорость записи, Гб/сек
7.8
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2177
2585
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Micron Technology 99U5403-159.A01LF 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link