RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB против Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
32
Около 9% меньшая задержка
Причины выбрать
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.6
12.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.5
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
32
Скорость чтения, Гб/сек
12.1
16.6
Скорость записи, Гб/сек
7.8
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2177
3049
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link