RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB против Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
12.1
12
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.8
5.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
29
Около -12% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
26
Скорость чтения, Гб/сек
12.1
12.0
Скорость записи, Гб/сек
7.8
5.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2177
1925
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link