RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB против V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
66
Около 56% меньшая задержка
Причины выбрать
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.5
12.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.0
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
66
Скорость чтения, Гб/сек
12.1
16.5
Скорость записи, Гб/сек
7.8
9.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2177
1934
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link