RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
33
Около 12% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.6
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.3
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
33
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
16.6
Скорость записи, Гб/сек
9.0
13.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
3141
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link