RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
35
Около 17% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.4
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.9
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
35
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
15.4
Скорость записи, Гб/сек
9.0
9.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2765
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link