RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
37
Около 22% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.8
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.0
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
37
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
14.8
Скорость записи, Гб/сек
9.0
11.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2814
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-8GIS 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link