RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
35
Около 17% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.6
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.6
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
35
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
13.6
Скорость записи, Гб/сек
9.0
9.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2468
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB Сравнения RAM
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Kingston ACR16D3LU1KNG/4G 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link