RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
68
Около 57% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.0
8.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.4
13.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
68
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
16.4
Скорость записи, Гб/сек
9.0
8.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
1924
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
Kingston RB16D3LS1KBG/4G 4GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link