RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
66
Около 56% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.0
8.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.2
13.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
66
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
16.2
Скорость записи, Гб/сек
9.0
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
1985
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link