RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
35
Около 17% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.2
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.9
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
35
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
18.2
Скорость записи, Гб/сек
9.0
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
3145
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Inmos + 256MB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link