RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
35
Около 17% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.5
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.5
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
35
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
15.5
Скорость записи, Гб/сек
9.0
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2923
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB Сравнения RAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link