RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
30
Около 3% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.8
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.4
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
30
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
15.8
Скорость записи, Гб/сек
9.0
12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2866
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link