RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
31
Около 6% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.7
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.6
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
31
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
16.7
Скорость записи, Гб/сек
9.0
13.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
3199
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5200C40 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link