RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
29
Около -61% меньшая задержка
Выше скорость чтения
21.3
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.8
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
18
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
21.3
Скорость записи, Гб/сек
9.0
15.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
3778
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link