RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Средняя оценка
star star star star star
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB

G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    17 left arrow 29
    Около -71% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    21.6 left arrow 13.4
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    17.7 left arrow 9.0
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    17000 left arrow 12800
    Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    29 left arrow 17
  • Скорость чтения, Гб/сек
    13.4 left arrow 21.6
  • Скорость записи, Гб/сек
    9.0 left arrow 17.7
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2423 left arrow 3702

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB

G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB Сравнения RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
модули RAM
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
модули RAM
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
модули RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
модули RAM
AMD R5316G1609U2K 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
модули RAM
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
модули RAM
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8-Y5 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
модули RAM
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
модули RAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
модули RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
модули RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
модули RAM
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
модули RAM
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
модули RAM