RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
77
Около 62% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.4
13.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.0
5.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
77
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
13.1
Скорость записи, Гб/сек
9.0
5.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
1440
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB Сравнения RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link