RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
32
Около 9% меньшая задержка
Причины выбрать
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.8
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
32
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
16.8
Скорость записи, Гб/сек
9.0
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
3007
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link