RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.8
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.2
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
29
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
15.8
Скорость записи, Гб/сек
9.0
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2865
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link