RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
32
Около 9% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.0
8.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.2
13.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
32
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
15.2
Скорость записи, Гб/сек
9.0
8.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2430
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link