RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.5
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.0
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
29
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
17.5
Скорость записи, Гб/сек
9.0
13.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
3146
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB Сравнения RAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905665-020.A00G 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link