RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
62
Около -77% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.7
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.9
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
35
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
13.7
Скорость записи, Гб/сек
5.9
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
2237
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8KTF51264AZ-1G9P1 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link