RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
62
Около -100% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.9
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.0
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
31
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
15.9
Скорость записи, Гб/сек
5.9
11.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
2813
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link