RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
62
Около -72% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.8
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
36
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
15.0
Скорость записи, Гб/сек
5.9
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
2700
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link