RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
62
Около -107% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.4
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
30
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
16.4
Скорость записи, Гб/сек
5.9
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
3148
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link