RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
62
Около -148% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.2
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
25
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
19.0
Скорость записи, Гб/сек
5.9
15.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
3541
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link