RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
62
Около -226% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.8
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.1
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
19
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
20.8
Скорость записи, Гб/сек
5.9
17.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
3821
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link