RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
62
Около -182% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.9
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.8
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
22
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
17.9
Скорость записи, Гб/сек
5.9
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
3297
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
INTENSO 5641152 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link