RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
62
Около -210% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.6
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.5
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
20
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
19.6
Скорость записи, Гб/сек
5.9
15.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
3234
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB Сравнения RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link