RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
62
71
Около 13% меньшая задержка
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.5
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.1
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
71
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
15.5
Скорость записи, Гб/сек
5.9
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
1922
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link