RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
62
Около -148% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.1
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.2
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
25
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
15.1
Скорость записи, Гб/сек
5.9
11.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
2489
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link