RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
62
Около -170% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.7
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.3
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
23
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
14.7
Скорость записи, Гб/сек
5.9
7.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
2476
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link